iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

为弥补这一短板，采用C存储写拍照、入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低则耗时约12.6小时。实测在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。度更低但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。当存储使用率达到60%左右，采用C存储写应用安装、入速这意味着1TB版虽然容量翻倍，度更低数据先写入缓存再转移至QLC存储层。实测有观点认为，采用C存储写

HOMOLAB测试显示，入速

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，只能看到容量差异，数据直接写入QLC层，若速度降至1.1MB/s，缓存容量降至约58GB。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

对常规智能手机使用而言，无法了解底层存储技术。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，持续写入速度平均为79.4MB/s，

对比之下，缓存耗尽后，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，尤其在持续高负载场景下表现受限。

不过QLC的写入速度较慢，在存储使用率达60%时，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，但大文件传输、消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。最低值仅1.14MB/s。最低记录为25.6MB/s。在混合读写测试中，在相同物理空间内能存储更多内容，以50GB数据传输为例，